收藏本站
AOT1606L/AOB1606L
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
+
10V
VDC
-
DUT
VDC + Vds
-
Qgs
Qgd
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
Rg
Vgs
DUT
VDC + Vdd
-
90%
10%
Vgs
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t on
t off
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Rg
Vds
Id
Vgs
L
Vgs
VDC + Vdd
-
Vds
Id
2
E AR = 1/2 LI AR
BV DSS
I AR
DUT
Vgs
Vds +
DUT
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
Vds -
Ig
Isd
Vgs
L
VDC + Vdd
-
Isd
Vds
I F
dI/dt
I RM
t rr
Vdd
Rev0: May 2011
www.aosmd.com
Page 6 of 6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
AOB411L MOSFET P-CH 60V 8A TO263
AOD458 MOSFET N CH 250V 14A TO252
AOK42S60L MOSFET N-CH 600V 39A TO247
AON2405 MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B
AON6232 MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6
AON6244 MOSFET N CH 60V 85A DFN5X6
AON6918 MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A
AON7421 MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP
相关代理商/技术参数
AOB1608L 功能描述:MOSFET N CH 60V 140A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOB20C60 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device
AOB20C60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3440pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak） 标准包装:800
AOB20C60PL 功能描述:MOSFET NCH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3607pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak） 标准包装:1
AOB20S60 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V 20A a MOS Power Transistor
AOB20S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOB210L 功能描述:MOSFET N CH 30V 105A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOB240L 功能描述:MOSFET N CH 40V 105A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件